RISE satrar halvledarteknologi med kiselkarbid (SiC), detta för att stärka svensk och europeisk konkurrenskraft inom ”nästa generations kraftelektronik”. Det skriver RISE i ett pressmeddelande. Det sker genom ett förvärv av ”avancerad SiC-epitaxiutrustning” i Kista.
Den nya utrustningen ska möjliggöra skräddarsydd SiC Epitaxi, där ett kristallager växer ovanpå ett substrat med samma kristallstruktur. Tekniken beskrivs som ”avgörande” för utvecklingen av högpresterande och energieffektiv kraftelektronik och utgör en ”kritisk komponent” i Europas ambition att uppnå ”teknologisk suveränitet” inom halvledarsektorn.
– Tack vare den nya utrustningen blir vi världsledande, vilket stärker vår förmåga att utveckla avancerade lösningar för kraftkomponenter och bidrar till digitalisering, elektrifiering och den gröna omställningen i Sverige och Europa, säger Paul Halle Zahl Pedersen, divisionschef Digitala system på RISE.
Enligt RISE används SiC-materialet inom elnät, transport, industriella system, elektronikproduktion och försvar.
– För Sverige och näringslivet innebär satsningen att vi stärker den nationella kompetensen inom högteknologisk halvledarproduktion, skapar nya möjligheter för svenska företag att delta i avancerade försörjningskedjor, och säkerställer långsiktig konkurrenskraft och innovationskraft i en globalt strategisk sektor, säger Paul Halle Zahl Pedersen, divisionschef Digitala system på RISE.
– Nya och innovativa krafthalvledare är avgörande för ett hållbart, konkurrenskraftigt, digitaliserat och elektrifierat samhälle. Genom att utveckla nästa generations SiC-teknologi kan vi stärka både Sveriges och Europas teknologiska ledarskap och skapa långsiktig tillväxt. Denna satsning ger oss möjlighet att aktivt bidra till det, säger Björn Samel, avdelningschef Smart hårdvara på RISE.
RISE menar att integrationen av den nya utrustningen i RISE befintliga struktur skapar ”synergier med pågående forskningsprogram och industrisamarbeten”.
